三星垄断走开！ 中国怒砸180亿造内存

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在过去一年多的时间里，内存价格的飙升让太多人感到心碎，问题的根源在于dram内存颗粒掌握在韩国三星、sk Hynix、国美等少数巨头手中，总份额超过90%，容易形成垄断，下游与市场之间没有回旋余地。

如今，中国正在各种半导体领域逐渐形成自己的实力，并摆脱外国的垄断，包括cpu微处理器、nand闪存、oled显示屏等。现在是dram存储的时候了。

中国芯片设计公司赵一创新最近宣布，已于10月26日与合肥工业投资控股(集团)有限公司签署了《记忆R&D项目合作协议》。

双方同意在安徽省合肥经济技术开发区合作研发300毫米晶圆(12英寸)和19纳米工艺存储器的项目，包括dram存储粒子。

项目总预算约为180亿元，由赵一创新和合肥投资按照1:4的比例负责筹集资金。

合作目标是在2018年12月31日之前成功完成研发，并实现不低于10%的产品良率(具有良好电气性能的芯片占整个晶圆的比例)。

然而，赵一创新强调，该项目在R&D阶段的设计能力相对较小，为每月2000-3000片，仍不能满足批量生产标准。此外，目前中国大陆的dram行业没有技术积累，R&D的成功还存在不确定性，这是由于人才引进、知识产权和设备进口的影响。

即使R&D试验成功，产量是否能提高或能否实现大规模生产仍不确定。从成功的R&D到大规模生产和销售需要几年时间。

R&D成功后，双方将进一步讨论提高产量和扩大产能。

目前，三星dram已经大规模采用了20nm工艺，并率先批量生产了18nm工艺。Sk Hynix专注于25纳米工艺，并推出了21纳米工艺。目前，美光的技术主要是30纳米，20纳米技术已经进入提高产量阶段。